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鸿宝电源: 稳压器
一些供应商的产品及其广泛应用
例如,安森美半导体公司提供了将近20种不同型号的igbt,用于电子汽车点火、燃料加注系统和其他一些需要控制高电流和高电压开关的应用。该公司的产品特点是广泛采用集成esd和过电压保护的单片集成电路。英飞凌公司针对高频电源开关应用提供了几款高速igbt产品。该公司的trenchstop igbt 具有较低的饱和电压、较高的温度稳定性和很低的传导损耗,适用于电机驱动应用。这类晶体管的动态开关特性降低了关断过程的能量损耗,减少了电磁干扰。st microelectronics公司制造的条状powermesh igbt 适用于电机驱动、电子汽车点火、遮光器、高频电子镇流器、焊接设备、不间断电源和家用电器等领域。这些300~1200v的晶体管具有很低的压降,适用于更高效的产品设计。该公司的v系列igbt瞄准的是快速、高频的应用,提供了附带和不带续流二极管两种配置。
microsemi公司推出了十几款支持600v和1200v电压的专用igbt。该公司的igbt 产品支持硬开关和软开关。这些igbt主要瞄准的是焊接设备、电感加热器以及电信和医疗电子等应用。microsemi 公司的dl 系列提供了超软的恢复二极管,能够减少电磁干扰,减少传导功率损耗,减少或取消原来需要使用的缓冲器。microsemi 的power mos8 igbt支持600v和900v的电压,针对工业设备、电池充电器和太阳能逆变器等应用提供了穿通技术。
最新的场截止沟道技术
飞兆半导体公司研究了各种适用于不同应用的igbt技术。例如,他们推出的场截止沟道式(fieldstoptrench)igbt采用了最新的场截止结构和沟道栅单元设计,具有高速开关和低饱和电压的特点。支持600v和1200v电压的这类晶体管适用于不间断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的应用。它们能够帮助电子设计人员减少传导损耗和开关损耗,实现极高的效率。飞兆半导体公司所有独特的igbt技术都经过了专门的优化,能够减少漂移电阻,沟道栅结构消除了器件中mosfet 部分的寄生jfet电阻。与传统的npt 沟道igbt 器件相比,飞兆半导体的fga20n120ftd可减小25%的传导损耗、8%的开关损耗。 它们不仅提高了设备的能效,而且大大降低了系统的工作温度。因此,使用这类igbt的应用对冷却的要求较低,从而进一步减少了功耗,提高了效率和可靠性。这些晶体管还采用了零电压开关(zvs)技术,内置了快速恢复二极管(frd),这也有利于提高产品的可靠性。飞兆凭借其先进的场截止技术,提供了紧密的参数分布,增强了抗雪崩击穿的能力,能够在雪崩工作模式下保持一致的性能,减少器件失效。这些器件都采用了长寿命设计,是高性能、低开关损耗和传导损耗应用的理想选择。在当前普遍呼唤节能的市场上,电子设计者必须关注高能效器件,关键是要针对不同的应用选择合适的igbt。无论你的产品需求如何,市场上总有一款晶体管能够满足要求。(